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IGBT的种类有哪些？
绝缘栅双极晶体AD795JR管根据其结构主要分为N沟道IGBT和P沟道IGBT管两大类。
IGBT的开关损耗与MOSFET相比有什么不同？
开关损耗主要包括关断时的损耗（关断损耗）和开通时的损耗（开通损耗）。在常温下，IGBT和MOSFET的关断损耗差不多。IGBT开通损耗的平均值比MOSFET咯小。MOSFET的开通损耗与温度关系不大，而对于IGBT，温度每增加100℃，损耗增加2倍。两种器件的开关损耗与电流相关，电流越大，损耗越高。

所谓IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。

国内市场需求急剧上升曾使得IGBT市场一度被看好。虽然长期来看，IGBT是一个值得期待的市场，可是到目前为止IGBT的核心技术和产业为大多数IDM半导体厂商所掌控，中国在2014年6月成功研制出8寸IGBT芯片，打破国际垄断  。并且随着各国都将削减可再生能源及交通等领域的支出，IGBT市场能否再度增长?
根据新的调查报告显示，各种IGBT器件和模块的销售额在2013年将有一定程度的复苏，2014年稍稍减速，待经济复苏并稳定后，从2015年开始将稳定增长。虽然2013年IGBT市场增长趋势有所下降，但随着国内技术的进步，其发展前景还是十分被看好的。

简单讲，IGBT是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点，如驱动功率小和饱和压降低等。
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