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在电力电子里面，重要的一个元件就是IGBT。没有IGBT就不会有高铁的便捷生活。
一说起IGBT，半导体制造的人都以为不就是一个分立器件(Power Disceret)嘛，都很瞧不上眼。然而他和28nm/16nm集成电路制造一样，是国家“02专项”的重点扶持项目，这玩意是现在目前功率电子器件里技术的产品，已经全面取代了传统的Power MOSFET，其应用非常广泛，小电、大到飞机、舰船、交通、电网等性产业，被称为电力电子行业里的“CPU”，长期以来，该产品（包括芯片）还是被垄断在少数IDM手上(FairChild、Infineon、TOSHIBA)，位居“十二五”期间国家16个重大技术突破专项中的第二位（简称 “02专项”）。

由于IGBT在电能转换中扮演的重要角色，它能够为各种高电压和大电流应用提供更高的效率和节能效果，被广泛应用于工业控制、新能源、变频家电等领域。特别是在新能源汽车中，IGBT 模块占电动车整车成本约5%左右，是除电池之外成本第二高的元件。根据IHS预测，全球汽车电动化用IGBT模块未来5年复合增长率高达23.5%。目前国内IGBT供需差距巨大，国产量仅为市场销量的七分。
2018 年国内市场 IGBT 模块需求量为7898万只，但是国内产量只有1115万只，供需缺口巨大。据业内人士透露，IGBT整体市场规模会保持每年10%以上的增长速度，主要受益于新能源汽车行业的发展。但是国产IGBT的增长速度会远高于此，以上市公司斯达半导体为例，2016年至2018年，连续保持45%以上的增长率。国内诸多公司以IGBT为主营业务的公司实现了高速增长。

IGBT的种类有哪些？
绝缘栅双极晶体AD795JR管根据其结构主要分为N沟道IGBT和P沟道IGBT管两大类。
IGBT的开关损耗与MOSFET相比有什么不同？
开关损耗主要包括关断时的损耗（关断损耗）和开通时的损耗（开通损耗）。在常温下，IGBT和MOSFET的关断损耗差不多。IGBT开通损耗的平均值比MOSFET咯小。MOSFET的开通损耗与温度关系不大，而对于IGBT，温度每增加100℃，损耗增加2倍。两种器件的开关损耗与电流相关，电流越大，损耗越高。

简单讲，IGBT是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点，如驱动功率小和饱和压降低等。
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